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要处理这一问题,就深层次到了解IC器件ESD无效机理的方面上。比如IC器件中普遍的MOS(Metal Oxdide Semiconductor)管,其关键ESD无效机理是电级缘层(电介质层)在遭到过高的静电场功效下产生热击穿,一瞬间造成大ESD电流量导致缘层产生热毁坏,可能会导致IC的原来设计方案作用无效。从而认识算出,IC器件中缘层遭受较高的静电场功效,才算是IC是不是产生ESD无效的本质要素。
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美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
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同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电区制作好金属凸点,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是 封装技 术中体积小、薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的 性。因此用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
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